奥林巴斯红外显微镜BX53M IR
产品描述
奥林巴斯红外显微镜BX53M IR产品简介:
电子设备在当今现代科技中已非常普遍。每个人很有可能已经在使用电子设备时,间接遇到并使用了硅晶圆。 晶圆是一种薄的半导体材料基材,用于制造电子集成电路。半导体材料种类多样,电子器件中常用的一种半导体材料是硅 (Si)。硅晶圆是集成电路中的关键部分。它由高纯度、几乎无缺陷的单晶硅棒经过切片制成,用作制造晶圆内和晶圆表面上微电子器件的基板。硅晶圆会积累在生长、切割、研磨、蚀刻、抛光过程中的残余应力。因此,硅晶圆在整个制造过程中可能产生裂纹,如果裂纹未被检测到,那些含有裂纹的晶圆就在后续生产阶段中产生无用的产品。裂纹也可能在将集成电路分割成单独 IC 时产生。因此,若要降低制造成本,在进一步的加工前,检查原材料基材的杂质,裂纹以及在加工过程中检测缺陷非常重要。


奥林巴斯红外显微镜 近红外一般定义为700-1600nm波长范围内的光线,由于硅传感器的上限约为1100nm,砷化铟镓(InGaAs)传感器是在近红外中使用的主要传感器,可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时,水蒸气、雾和硅等特定材料均为透明,因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。
奥林巴斯红外显微镜 配置IR专用物镜可用于透过硅材料成像,进行半导体检查和测量。配备的5X到100X红外(IR)物镜,提供了从可见光波长到近红外的像差校正。对于高放大倍率的物镜,配备了LCPLNIR系列带校正环的物镜,校正由样品厚度导致的像差,使用一个物镜即可获取清晰的图像。


奥林巴斯红外显微镜BX53M IR参考规格:
光学系统 | UIS2光学系统(无限远校正) | |||
主要装置 | 显微镜机身 | BX53MRF-S | ||
焦点 | 冲程:25mm | |||
Z大标本高度 | 反射:65mm(不带垫片),105mm(带BX3M-ARMAD) | |||
观察镜筒 | 宽视野(F.N.22) | U-TR30IR | ||
照明 | 反射光 | IR观察 | BX3M-RLA-S | |
物镜转盘 | U-5RE-2 | |||
目镜(F.N.22) | WHN10X | |||
WHN10X-H | ||||
滤光片/偏光镜/分析仪 | U-BP1100IR/U-BP1200IR | |||
U-AN360IR | ||||
电源线缆 | UYCP(x2) | |||
重量 | 约18.9kg(显微镜机身7.4kg) | |||
物镜 | IR套装 | LMPLN5XIR、10XIR、LCPLN20XIR、50XIR、100XIR | ||
载物台(X x Y) | 76mm x 52mm套装 | U-SVRM、U-MSSP | ||
100mm x 100mm套装 | U-SIC4R2、U-MSSP4 | |||
100mm x 100(G)mm套装 | U-SIC4R2、U-MSSPG | |||
150 mm x 100 mm套装 | U-SIC64、U-SHG、U-SP64 | |||
150 mm x 100(G)mm套装 | U-SIC64、U-SHG、U-SPG64 | |||
选配 | MIX观察套装* | BX3M-CB、BX3M-HS、U-MIXR-2、U-MIXRCBL | ||
DIC* | U-DICR | |||
中间镜筒 | U-CA、U-EPA2、U-TRU | |||
滤光片 | U-25ND6、U-25ND25、U-25LBD、U-25LBA、U-25Y48、U-AN360-3、U-AN360P、U-PO3、U-POTP3、U-25IF550、U-25L42、U-25、U-25FR | |||
聚光镜滤光片 | 43IF550-W45、U-POT | |||
载物台板 | U-WHP64、BH2-WHR43、BH2-WHR54、BH2-WHR65、U-WHP2 | |||
样品托架 | U-HRD-4、U-HLD-4、U-HRDT-4、U-HLDT-4 | |||
手柄橡胶 | U-SHG、U-SHGT | |||
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